据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（Fin FET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。

　　韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。

　　KAIST表示，三星是在邀请Fin FET技术开发者、首尔大学教授李钟浩（Lee Jong-ho）向公司工程师展示Fin FET技术原理时盗取了这项技术。李钟浩是KAIST合伙人之一。

　　“三星在分文未花的情况下盗取了李钟浩的发明，从而削减了开发时间和成本。随后，三星在没有取得授权或支付适当赔偿金的情况下继续使用李钟浩的发明，”KAIST称。

　　KAIST表示，英特尔已意识到他们才是Fin FET技术的真正开发者，并取得了授权使用这项技术，但是三星并未这么做。KAIST还认为高通、台积电也侵犯了Fin FET技术专利。（编译：箫雨）