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GaN(氮化镓)基半导体紫外探测器件

发布时间:2017-08-11
责任编辑:董娜
来源:中国知识产权网

GaN(氮化镓)基半导体紫外探测器件

公司名称及发明人姓名:中蕊(武汉)光电科技有限公司

项目概述:

随着科技的发展,半导体材料也在进行着技术升级,从初代的Si(硅)基半导体材料,到第二代以GaAs(砷化镓)为代表的半导体材料,到国际上引起广泛关注的以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料,半导体元器件从性能到应用领域上都得到了长足的发展。与传统半导体材料相比,GaN在材料性能上有着显著的提高,其独有的材料特性,引领了若干新的应用领域发展。例如在军工领域,GaN材料的高频特性使其成为了紫外光电和高频微波的最佳半导体材料,相较于传统光电探测器而言,GaN基紫外探测器在抗干扰、抗恶劣环境、高灵敏度方面具有得天独厚的优势,在侦测大气层内的高速飞行器、导弹、核辐射、高能火焰等主动防护领域,均能看到GaN基紫外探测器的身影。随着GaN半导体器件的应用深入,未来市场前景极为广阔。然而,目前国内主流的GaN半导体水平,只是停留在研究阶段。

本项目积极响应“军民深度融合发展”号召,将自身技术储备全面投入到半导体紫外探测器件领域,攻克了GaN(氮化镓)基半导体紫外探测器件制备的技术难关,打造了完全自主的垂直产业链,成为国内第一家具备GaN(氮化镓)基半导体紫外探测器件量产能力的专业化企业。公司自主研发的军用氮化镓AlGaN基紫外半导体探测器、GaN HEMT器件填补了国内空白,技术指标达到国际同行业领先水平,突破了国际对华技术、产品禁运封锁,对我国国防事业的建设具有深远而重要的现实意义。
知识产权:目前已提交6项专利申请,均已收到专利申请受理书。

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